Descripción

El IRF540N es un Mosfet de potencia Hexfet de canal único N de 100V en el encapsuladoTO-220AB. Este Mosfet tiene una resistencia extremadamente baja por área de silicio, clasificación dv/dt dinámica, conmutación rápida y resistente. Los Mosfet de potencia son muy conocidos por proporcionar una gran eficiencia y fiabilidad que se pueden utilizar en una gran variedad de aplicaciones.

• Polaridad: Canal N
• Intensidad drenador continua Id: 33 A
• Tensión denaje-fuente Vds: 100 V
• Resistencia de activación Rds(on): 44 mohm
• Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
• Tensión umbral Vgs: 4 V
• Disipación de potencia Pd: 130 mW
• Temperatura de trabajo mínima: -55 °C
• Temperatura de trabajo máxima: 175°C
• Encapsulado: TO-220
• 3 pines

DOCUMENTOS:

• Datasheet